分子束外延生长系统-250

详细介绍

MBE系统用于制备表观膜、超薄膜、化合物半导体、金属、介质、有机化合物和新材料。可选配液氮冷却腔体和腔室，可选装线性快门和晶振膜厚仪。

详细参数：

1.极限真空度小于5×10^-10 mBar。

2.基底温控范围20 K至1500 K。

3.最多12个蒸发源，每个容量为2 cm³或10 cm³。

4.烘烤温度高达250 °C。

5.腔室直径可选256 毫米 / 300 毫米 / 500 毫米。

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样品存储架

气路

真空腔体

蒸发源-DH

机械手

STM针尖托

多维加热样品台